单晶SiC及其制造方法

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN988008.X （22）申请日 1998.06.23

（71）申请人 日本皮拉工业株式会社

地址 日本大阪府

（10）申请公布号 CN1231003A （43）申请公布日 1999.10.06

（72）发明人 谷野吉弥

（74）专利代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人 王以平

（51）Int.CI

C30B29/36;

权利要求说明书 说明书 幅图

（）发明名称

单晶SiC及其制造方法

（57）摘要

本发明是在α－SiC单晶基体材料(1)的

表面上通过研磨面以紧密接触的状态重叠、或利用热CVD法层状成膜的方式层叠β－SiC多晶片(2)形成复合体(M),然后对所形成的复合体(M)在1850～2400℃的温度范围内进行热处理,使β－SiC多晶片(2)的多晶体相变成为单晶体,生成与α－SiC单晶基体材料(1)的晶轴同方位取向的单晶。该方法能容易且高效地制造没有微泡缺陷、

晶格缺陷、也不会由于杂质进入而形成晶界等的高质量的大型单晶SiC。

法律状态

法律状态公告日

1999-10-06 1999-10-06 1999-10-13 1999-10-13 2002-07-10 2002-07-10 2002-07-10 2004-07-28 2004-07-28

法律状态信息

公开 公开

实质审查请求的生效 实质审查请求的生效 专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移 专利权的视为放弃 专利权的视为放弃

法律状态

公开 公开

实质审查请求的生效 实质审查请求的生效 专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移 专利权的视为放弃 专利权的视为放弃

权利要求说明书

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说明书

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