一种钛酸锶钡半导体陶瓷的制备方法[发明专利]

来源：年旅网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种钛酸锶钡半导体陶瓷的制备方法专利类型：发明专利

发明人：姜胜林,涂文芳,龚树萍,曾亦可,孔明日申请号：CN200910062797.7申请日：20090618公开号：CN101585709A公开日：20091125

摘要：一种钛酸锶钡半导体陶瓷的制备方法，属于正温度系数(PTC)陶瓷材料的制备方法，针对现有制备方法存在的问题，低温烧结制备PTCR效应较好的陶瓷材料。本发明包括：(1)Y－BaTiO粉备步骤；(2)玻璃烧结助剂制备步骤；(3)PTCR陶瓷制备步骤。本发明配方中添加了玻璃烧结助剂，玻璃烧结助剂中添加了Mn(NO)溶液，使锰的加入更加容易，有效改善了析出损失和混合不均等问题，既降低材料的烧结温度又增强材料的PTC效应，制备的PTCR陶瓷具有较低的室温电阻率，较高的升阻比，具有良好综合PTCR性能，且有利于叠层化，符合制作热敏电阻的要求。

申请人：华中科技大学

地址：430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

国籍：CN

代理机构：华中科技大学专利中心

代理人：方放

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