专利名称：干式蚀刻法专利类型：发明专利发明人：吉居学,渡边一弘申请号：CN201180003426.7申请日：20110125公开号：CN102484066A公开日：20120530
摘要：公开了一种干式蚀刻方法，包括第一步骤和第二步骤。第一步骤包括从混合气体生成第一种等离子体，并用所述第一种等离子体在硅层(Ls)进行各向异性蚀刻在其上形成凹槽，所述混合气体包括氧化气体和含氟气体；第二步骤包括交替地重复使用第二种等离子体在凹槽内侧表面形成有机膜的有机膜形成过程以及使用第一种等离子体在覆盖了有机膜的凹槽中进行各向异性蚀刻的蚀刻过程。当蚀刻阻挡层(Lo)从第一步骤形成的凹槽底部表面的部分露出来时，将第一步骤切换至第二步骤。
申请人：株式会社爱发科
地址：日本国神奈川县
国籍：JP
代理机构：上海金盛协力知识产权代理有限公司
代理人：段迎春
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