具有电流采样功能的沟槽型功率MOSFET器件[实用新型专利]

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专利名称：具有电流采样功能的沟槽型功率MOSFET器件专利类型：实用新型专利发明人：朱袁正,冷德武申请号：CN201420274024.1申请日：20140526公开号：CN203850305U公开日：20140924

摘要：本实用新型涉及一种具有电流采样功能的沟槽型功率MOSFET器件，属于半导体功率器件技术领域。包括集成于同一半导体芯片的主功率MOS器件和电流采样功率MOS器件。在所述MOS器件的俯视平面上，中心区设有大量元胞并联组成的主功率MOS器件的元胞区和较少量元胞并联组成的电流采样功率MOS器件元胞区以及两者之间分隔区，中心区外围设有终端保护结构。主功率MOSFET器件和电流采用MOSFET器件的元胞都采用沟槽结构。主功率MOSFET器件和电流采样MOSFET器件各自的源极金属是分开的，共用一个栅极和漏极。本实用新型通过控制主功率MOSFET器件元胞面积和电流采样MOSFET器件元胞区面积之比来实现电流采样。

申请人：无锡新洁能股份有限公司

地址：214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号(与华清路交叉口)无锡(滨湖)国家信息传感中心-B1楼东侧2楼

国籍：CN

代理机构：无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)

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