专利名称：低压降稳压器专利类型：实用新型专利发明人：高彬,马岩,陆崇鑫,申请号：CN2010206877.X申请日：20101229公开号：CN201936213U公开日：20110817
摘要：本实用新型公开了一种低压降稳压器，其是在低压降稳压电路中引入附加零极点，以提高低压降稳压器电路的稳定性，具体可以在PMOS驱动管的栅漏极之间接入由补偿电容和补偿电阻串联构成的反馈回路，设计补偿电容和补偿电阻的值，通过补偿电路产生的附加零点来低压降稳压器的第二主极点，同时使得加入的补偿电路带来的附加极点被低压降稳压电路的输出电容所产生的零点所补偿，则电路的相位裕度得到改善，低压降稳压器电路可以实现较好的稳定性，其输出端不会发生振荡。
申请人：西安华芯半导体有限公司
地址：710075 陕西省西安市高新区高新六路38号A座4层
国籍：CN
代理机构：西安智邦专利商标代理有限公司
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