分离式栅极闪存元件及其形成方法[发明专利]

来源：年旅网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：分离式栅极闪存元件及其形成方法专利类型：发明专利

发明人：马洛宜·库马,恩凯特·库马,李家豪,廖志成申请号：CN201810066724.4申请日：20180124公开号：CN110071109A公开日：20190730

摘要：本发明提出一种分离式栅极闪存元件及其形成方法，上述分离式栅极闪存元件包括具有源极区与漏极区的半导体基板。上述源极区与漏极区被通道区分隔。上述分离式栅极闪存元件亦包括上述半导体基板中的凹槽、衬于上述凹槽的浮栅介电层。上述分离式栅极闪存元件亦包括坐落于上述浮栅介电层上的凹槽中的浮栅，且上述浮栅具有凸状底表面。上述分离式栅极闪存元件亦包括位于上述浮栅上的栅极间介电层以及位于上述栅极间介电层上的控制栅极。

申请人：世界先进积体电路股份有限公司

地址：中国新竹科学工业园区

国籍：TW

代理机构：北京三友知识产权代理有限公司

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