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一种双多晶平面SOI BiCMOS集成器件及制备方法[发明专利]

来源：年旅网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种双多晶平面SOI BiCMOS集成器件及制备方法专利类型：发明专利

发明人：张鹤鸣,王斌,宣荣喜,宋建军,胡辉勇,舒斌,戴显英,郝

跃

申请号：CN201210243591.6申请日：20120716公开号：CN102738172A公开日：20121017

摘要：本发明公开了一种双多晶平面SOI BiCMOS集成器件及制备方法，其过程为：在SOI衬底上生长N-Si作为双极器件集电区，光刻基区区域，在基区区域生长P-SiGe、i-Si、i-Poly-Si，制备深槽隔离，制备发射极、基极和集电极，形成SiGe HBT器件；光刻NMOS器件有源区沟槽，在沟槽中生长四层材料；光刻PMOS器件有源区沟槽，在沟槽内生长三层材料，在MOS有源区上制备漏极和栅极，形成MOS器件；光刻引线，构成双多晶平面SOI BiCMOS集成器件及电路；本发明充分了利用张应变Si材料电子迁移率高于体Si材料和压应变SiGe材料空穴迁移率高于体Si材料特点，制备出了性能增强的双多晶平面SOI BiCMOS集成电路。

申请人：西安电子科技大学

地址：710065 陕西省西安市雁塔区太白南路2号

国籍：CN

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