一种监测低温离子注入的方法[发明专利]

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专利名称：一种监测低温离子注入的方法专利类型：发明专利发明人：邱裕明,肖天金申请号：CN201410106663.1申请日：20140320公开号：CN103882401A公开日：20140625

摘要：本发明公开了一种监测低温离子注入的方法，涉及半导体领域。该方法为：将一硅片从常温冷却至-45℃～-100℃的温度；对所述硅片进行离子注入；采用热波测量所述硅片表面，以获得热波值，根据所述热波值以获取所述硅片表面的损伤程度，从而监测低温离子注入。本发明采用低温离子注入工艺，避免了损伤自我修复的问题，通过测量热波值可以获取离子注入时的温度，在温度为-45℃～-60℃时离子注入效果最佳，可以实时监测低温离子注入的情况，提供了工作效率。

申请人：上海华力微电子有限公司

地址：201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号

国籍：CN

代理机构：上海申新律师事务所

代理人：吴俊

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