前面几节几乎从结构上介绍了MOS的原理和特性，但是随着尺寸越来越小，电压越来越，很多我们可以忽略的寄生特性(Parisitic)以及我们称之为二级效应的关注点开始变得不可忽略，今天我们就来聊一聊吧。1. 衬偏效应(Body Effect)：我们在看MOSFET都是把source和Bulk短接在一起，所以我们忽略了Bulk的电压变化会对器件产生什么影响？当Vbs又原来的0偏电压改为接负电压，这样衬底到源极的PN结反偏耗尽区会变宽，所以衬底的耗尽区会变厚，所以耗尽层中的空间电荷会变多，所以栅极(gate)需要更高的电压来让它达到完全开启。所以开启电压会升高。这个在器件上你觉得无所谓，但是对设计的人就怕了。请看下图，当两个NMOS串联，在中间输出点的电压应该等于1/2*Vdd，所以上面的NMOS和下面的NMOS如果分开各自和source短接，那么这两个NMOS的Vth肯定就不match了，除非你像右边那样都接ground。
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