专利名称：深沟槽中具有气隙的半导体隔离结构专利类型：发明专利
发明人：许鸿生,杨岱宜,吴威鼎,钟明达,游绍祺申请号：CN201310080401.8申请日：20130313公开号：CN103456768A公开日：20131218
摘要：一种器件包括半导体衬底；位于半导体衬底上方的接触塞；以及位于半导体衬底上方的层间介电(ILD)层，并且接触塞设置在ILD层中。气隙被ILD层的一部分和半导体衬底密封。气隙形成环绕半导体衬底的一部分的完整的气隙环。本发明提供了深沟槽中具有气隙的半导体隔离结构。
申请人：积体电路制造股份有限公司
地址：中国新竹
国籍：CN
代理机构：北京德恒律治知识产权代理有限公司
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