专利名称：硅的制造方法和治具专利类型：发明专利发明人：片山利昭,山原圭二申请号：CN201180012160.2申请日：20110310公开号：CN102781833A公开日：20121114
摘要：本发明的课题在于提供使用电弧炉的硅的制造方法，其可降低所制造的硅中的磷浓度。本发明所提供的硅的制造方法是通过对至少选自二氧化硅原料和碳材料、二氧化硅原料和碳化硅、以及硅原料中的任意之一的硅制造用原料在加热炉内进行加热来制造硅的方法，该方法的特征在于：其包括在加热炉内使用治具对该硅制造用原料和加热生成物的至少一方进行操作的工序；该治具具备弯曲强度为100MPa以上且熔点为硅的熔点以上的非金属材料部分，至少与1000℃以上的该硅制造用原料或该加热生成物接触的部分由该非金属材料部分构成。
申请人：三菱化学株式会社
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：北京三友知识产权代理有限公司
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