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具有低导通压降的绝缘栅双极型晶体管器件及其制造方法[发明专利]

来源：年旅网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：具有低导通压降的绝缘栅双极型晶体管器件及其制

造方法

专利类型：发明专利发明人：朱袁正,张硕

申请号：CN2016110631.0申请日：20161201公开号：CN106653836A公开日：20170510

摘要：本发明涉及一种具有低导通压降的绝缘栅双极型晶体管器件及其制造方法，其包括位于半导体基板上的有源区以及终端保护区，在所述绝缘栅双极型晶体管器件的截面上，所述有源区的有源元胞采用采用沟槽结构，所述有源元胞包括活性元胞以及非活性元胞；在活性元胞沟槽的槽底以及非活性元胞沟槽的槽底均设有第二导电类型浮置区，活性元胞沟槽下方的第二导电类型浮置区包覆活性元胞沟槽的槽底，非活性元胞沟槽下方的第二导电类型浮置区包覆非活性元胞沟槽的槽底。本发明能够在保证耐压的情况下，具有极低的导通压降和极快的关断速度，且具有较低的电流电压振荡，大大提高工作的可靠性。

申请人：无锡新洁能股份有限公司

地址：214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号(与华清路交叉口)无锡(滨湖)国家信息传感中心-B1楼东侧2楼

国籍：CN

代理机构：无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)

代理人：曹祖良

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