氮化镓基发光二极管

来源：年旅网

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201710050629.0 （22）申请日 2017.01.23

（71）申请人厦门三安光电有限公司

地址 361100 福建省厦门市同安区洪塘镇镇民安大道841-9号

（10）申请公布号 CN106784206A

（43）申请公布日 2017.05.31

（72）发明人陈秉扬;张中英;赖昭序;曾建尧;张洁;朱学亮;刘信佑;卢德恩;刘建明（74）专利代理机构

代理人

（51）Int.CI

H01L33/02; H01L33/06; H01L33/14;

权利要求说明书说明书幅图

（）发明名称

氮化镓基发光二极管

（57）摘要

本发明公开了一种氮化镓基发光二极管，

依次包括：n型氮化物层、有源层、电子阻挡层、能带扭曲层和p型氮化物层，其特征在于：所述有源层表面上具有V型缺陷和连接所述V型缺陷的平面区，所述能带扭曲层之材料具有足够低的能隙，致使所述电子阻挡层之能带扭曲，降

低电子阻挡层对空穴之有效势垒高度，加强空穴从C‑plane注入之效率，提高了LED的发光效率。

法律状态

法律状态公告日

2017-05-31 2017-05-31 2017-06-23 2017-06-23 2019-01-08

法律状态信息

公开公开

实质审查的生效实质审查的生效授权

法律状态

公开公开

实质审查的生效实质审查的生效授权

权利要求说明书

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说明书

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