一种制作基本上没有台阶形貌的碳化硅外延层的方法[发明专利]

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专利名称：一种制作基本上没有台阶形貌的碳化硅外延层的方

法

专利类型：发明专利发明人：李哲洋,李赟

申请号：CN200810195186.5申请日：20081107公开号：CN101404249A公开日：20090408

摘要：本发明公开了一种制作基本上没有台阶形貌的碳化硅外延层的方法：选取偏向<11-20>方向4°的(0001)硅面碳化硅为衬底；使用氢气、氩气和丙烷同时对衬底进行表面预处理；当温度升温至外延生长温度时开始生长第一层外延碳化硅，生长源为硅烷和丙烷；在第一层外延碳化硅上生长满足器件制作的第二层外延碳化硅，生长源为硅烷和丙烷，选择氮气和三甲基铝分别作为N型和P型掺杂剂。与通常外延技术相比，本发明方法，能够减少偏向<11-20>方向4°的(0001)硅面碳化硅衬底外延时存在的三角形缺陷和台阶形貌，有效改善了外延层表面质量，同时降低了SiC外延的成本，提高外延效率，外延工艺重复性和一致性好，适合规模生产。

申请人：中国电子科技集团公司第五十五研究所

地址：210016 江苏省南京市中山东路524号中国电子科技集团公司第五十五研究所

国籍：CN

代理机构：南京苏高专利商标事务所

代理人：柏尚春

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