栅极及晶体管的形成方法[发明专利]

来源：年旅网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：栅极及晶体管的形成方法专利类型：发明专利发明人：张海洋,任佳

申请号：CN201410133562.3申请日：20140403公开号：CN104979175A公开日：20151014

摘要：本发明提供一种栅极及晶体管的形成方法，包括：提供衬底；在衬底上形成栅极材料层；采用等离子刻蚀机对栅极材料层进行等离子刻蚀，以形成栅极；其中，等离子刻蚀的步骤包括：使等离子刻蚀机输出脉冲式功率，以对栅极材料层进行脉冲刻蚀。本发明还提供一种晶体管的形成方法，包括：采用如上述方法形成晶体管的栅极。本发明的有益效果在于，本发明的刻蚀方式中的刻蚀可以实现间断的刻蚀效果，这样可以使等离子的电子温度在刻蚀间断时得到一定程度的降低，有利于减小等离子的电子温度，进而减小对衬底的影响程度，也就是说，减小在刻蚀形成栅极的时候对衬底的损耗，以尽量避免在衬底上形成凹陷。

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

地址：201203 上海市浦东新区张江路18号

国籍：CN

代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司

更多信息请下载全文后查看

因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容

查看全文