专利名称:栅极及晶体管的形成方法专利类型:发明专利发明人:张海洋,任佳
申请号:CN201410133562.3申请日:20140403公开号:CN104979175A公开日:20151014
摘要:本发明提供一种栅极及晶体管的形成方法,包括:提供衬底;在衬底上形成栅极材料层;采用等离子刻蚀机对栅极材料层进行等离子刻蚀,以形成栅极;其中,等离子刻蚀的步骤包括:使等离子刻蚀机输出脉冲式功率,以对栅极材料层进行脉冲刻蚀。本发明还提供一种晶体管的形成方法,包括:采用如上述方法形成晶体管的栅极。本发明的有益效果在于,本发明的刻蚀方式中的刻蚀可以实现间断的刻蚀效果,这样可以使等离子的电子温度在刻蚀间断时得到一定程度的降低,有利于减小等离子的电子温度,进而减小对衬底的影响程度,也就是说,减小在刻蚀形成栅极的时候对衬底的损耗,以尽量避免在衬底上形成凹陷。
申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址:201203 上海市浦东新区张江路18号
国籍:CN
代理机构:北京集佳知识产权代理有限公司
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