功率金属氧化物半导体场效应晶体管装置及其制造方法[发明专利]

来源：年旅网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：功率金属氧化物半导体场效应晶体管装置及其制造

方法

专利类型：发明专利

发明人：贡中元,涂高维,简凤佐,黄彦智申请号：CN03124112.3申请日：20030429公开号：CN12984A公开日：20041103

摘要：本发明涉及一种双沟渠式功率金属氧化物半导体场效应晶体管装置，其包括：一硅基板的汲极；形成在上述硅基板之上的一磊晶层，在上述磊晶层上方形成的阱区中蚀刻一闸极沟渠区而形成的闸极；形成在上述阱区最上方的一源极掺杂区；其中，还包括一源极沟渠区，上述源极沟渠区是通过蚀刻上述源极掺杂区形成另一沟渠，上述另一沟渠的深度到达上述硅基板处。上述装置可具有低导通电阻、高崩溃电压及高密集度的优点，且在制造过程中无须任何放入高温炉的布植步骤，可降低制造过程的复杂度。

申请人：华瑞股份有限公司

地址：省台北市中山区中山北路二段42号8楼

国籍：CN

代理机构：北京三幸商标专利事务所

代理人：刘激扬

更多信息请下载全文后查看

因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容

查看全文