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在屏蔽的栅极场效应晶体管中形成多晶硅层间电介质的结构和方法[发明专利]

来源：年旅网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：在屏蔽的栅极场效应晶体管中形成多晶硅层间电介

质的结构和方法

专利类型：发明专利

发明人：罗伯特·赫里克,迪安·E·普罗布斯特,弗雷德·塞西诺申请号：CN200680028769.8申请日：20060804公开号：CN101238581A公开日：20080806

摘要：如下所述形成一种屏蔽的栅极沟槽FET。在第一导电类型的硅区域(204)中形成沟槽(202)，该沟槽(202)包括通过屏蔽电介质(206)与硅区域(204)绝缘的屏蔽电极(208)。沿屏蔽电极(208)的上表面形成包括热氧化物层(210)和共形电介质层(212)的多晶硅层间电介质(IPD)(214)。至少顺着上部沟槽(202)侧壁形成栅极电介质(216)。在沟槽中形成栅电极(218)，使得栅电极通过IPD与屏蔽电极绝缘。

申请人：飞兆半导体公司

地址：美国缅因州

国籍：US

代理机构：北京康信知识产权代理有限责任公司

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