故障解析方法及故障解析装置

（12）发明专利说明书

（21）申请号 CN200810129552.7 （22）申请日 2008.06.30 （71）申请人 瑞萨电子株式会社

地址 日本神奈川

（10）申请公布号 CN1013366B

（43）申请公布日 2011.12.14

（72）发明人 二川清

（74）专利代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人 钟强

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（）发明名称

故障解析方法及故障解析装置

（57）摘要

本发明提供一种故障解析方法及故障

解析装置，在解析半导体芯片的故障时，不需要与外部进行端子连接，能以亚微米的空间分辨率将电流路径及缺陷可视化。本发明包含：用光电流产生用激光束(2)对LSI芯片(1)进行固定照射的工序；用加热用激光束(3)对LSI芯片(1)的被观测区域扫描并照射的工序；用SQUID磁通计(4)检测由于光电流产生用激光束(2)及加热用激光束(3)的照射而在LSI芯片(1)上产生的电流变化的工序；及根据SQUID磁通计(4)检测到的电流变化，

解析LSI芯片(1)的故障的工序。光电流产生用激光束(2)及加热用激光束(3)的照射从LSI芯片(1)的背面侧进行，SQUID磁通计(4)进行的检测在LSI芯片(1)的表面侧进行。LSI芯片(1)的故障的解析中，进行使从SQUID磁通计(4)输出的信号与扫描点对应的图像处理。 法律状态

法律状态公告日

2009-01-28 2010-03-03 2011-01-05 2011-12-14 2014-08-13

法律状态信息

公开

实质审查的生效

专利申请权、专利权的转移 授权 专利权的终止

法律状态

公开

实质审查的生效

专利申请权、专利权的转移 授权 专利权的终止

权利要求说明书

故障解析方法及故障解析装置的权利要求说明书内容是....请下载后查看

说明书

故障解析方法及故障解析装置的说明书内容是....请下载后查看