(12)发明专利说明书
(21)申请号 CN200810129552.7 (22)申请日 2008.06.30 (71)申请人 瑞萨电子株式会社
地址 日本神奈川
(10)申请公布号 CN1013366B
(43)申请公布日 2011.12.14
(72)发明人 二川清
(74)专利代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 钟强
(51)Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
()发明名称
故障解析方法及故障解析装置
(57)摘要
本发明提供一种故障解析方法及故障
解析装置,在解析半导体芯片的故障时,不需要与外部进行端子连接,能以亚微米的空间分辨率将电流路径及缺陷可视化。本发明包含:用光电流产生用激光束(2)对LSI芯片(1)进行固定照射的工序;用加热用激光束(3)对LSI芯片(1)的被观测区域扫描并照射的工序;用SQUID磁通计(4)检测由于光电流产生用激光束(2)及加热用激光束(3)的照射而在LSI芯片(1)上产生的电流变化的工序;及根据SQUID磁通计(4)检测到的电流变化,
解析LSI芯片(1)的故障的工序。光电流产生用激光束(2)及加热用激光束(3)的照射从LSI芯片(1)的背面侧进行,SQUID磁通计(4)进行的检测在LSI芯片(1)的表面侧进行。LSI芯片(1)的故障的解析中,进行使从SQUID磁通计(4)输出的信号与扫描点对应的图像处理。 法律状态
法律状态公告日
2009-01-28 2010-03-03 2011-01-05 2011-12-14 2014-08-13
法律状态信息
公开
实质审查的生效
专利申请权、专利权的转移 授权 专利权的终止
法律状态
公开
实质审查的生效
专利申请权、专利权的转移 授权 专利权的终止
权利要求说明书
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说明书
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