一种P型GaAs基半导体发光二极管的制造方法

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201410038697.1 （22）申请日 2014.01.26

（71）申请人 南通明芯微电子有限公司

地址 226634 江苏省南通市海安县老坝港滨海新区港府西路18号

（10）申请公布号 CN103746049A

（43）申请公布日 2014.04.23

（72）发明人 周明;申云;程万坡;张兴杰

（74）专利代理机构 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人 刘洪勋

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（）发明名称

一种P型GaAs基半导体发光二极管的制造方法

（57）摘要

本发明提供了一种P型GaAs基半导体发

光二极管的制造方法，包括形成GaAs衬底，以及在GaAs衬底上沉积p型接触层、有源层、n型电子阻挡层、n型过渡层和n型接触层；其中形成GaAs衬底的方法包括如下步骤：在常温常压下，将GaAs晶片放入高温高压装置中；对GaAs晶片加热的同时加压，加热温度为860～0℃，加压压力为5.0～5.5GPa，保持10～15分钟；停止加热，使GaAs晶片冷却至常温；同时缓慢卸压，使

GaAs晶片恢复至常压；在高温高压装置中退火20～30分钟后，取出GaAs晶片。该方法可以明显的减小发光二极管衬底中的晶体缺陷密度，提高发光二极管的性能和寿命。

法律状态

法律状态公告日

2014-04-23 2014-04-23 2014-05-21 2014-05-21 2017-07-07

法律状态信息

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效

发明专利申请公布后的驳回法律状态

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效

发明专利申请公布后的驳回

权利要求说明书

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说明书

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