一种MOS场效应管及其制作方法

来源：年旅网

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN200510111432.0 （22）申请日 2005.12.13

（71）申请人上海华虹NEC电子有限公司

地址 201206 上海市浦东新区川桥路1188号

（10）申请公布号 CN1983631A （43）申请公布日 2007.06.20

（72）发明人伍宏;陈晓波

（74）专利代理机构上海浦一知识产权代理有限公司

代理人丁纪铁

（51）Int.CI

H01L29/78; H01L21/336;

权利要求说明书说明书幅图

（）发明名称

一种MOS场效应管及其制作方法

（57）摘要

本发明公开了一种MOS场效应管，该MOS

场效应管多晶硅栅的宽度，从靠近硅区域与浅沟道隔离区域交界处的硅区域内的某处到硅区域与浅沟道隔离区域交界处线性地增加。本发明一种制作MOS场效应管的方法，首先，根据反窄沟道效应的严重程度，MOS场效应管的综合特性，定义该多晶硅栅形状改变的几何参数；其次，根据

第一步中确定的几何参数改变版图。本发明在通过线性增加场效应管边缘的多晶硅栅的宽度，等效于增加“寄生晶体管”的沟道长度，降低其漏电流并提高“寄生晶体管阈值电压，从而降低总晶体管的漏电流并提高总晶体管的阈值电压。从而改善MOS场效应管反窄沟道效应引起的阈值电压下降的问题。

法律状态

法律状态公告日2007-06-20 2007-08-15 2010-11-03

法律状态信息

公开

实质审查的生效

发明专利申请公布后的驳回法律状态

公开

实质审查的生效

发明专利申请公布后的驳回

权利要求说明书

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说明书

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