一种芯片金属凸块成型方法[发明专利]

来源：年旅网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种芯片金属凸块成型方法专利类型：发明专利发明人：梅嬿,陈浩

申请号：CN2020101512.1申请日：20200706公开号：CN111725083A公开日：20200929

摘要：本发明公开了一种芯片金属凸块成型方法，包括如下步骤：提供硅基板，所述硅基板的上表面形成有电极和钝化层，所述电极自钝化层上的钝化层开口向外暴露。在钝化层及电极上表面覆盖种子层。在种子层上表面形成光阻层。去除部分光阻以形成光阻开口，所述光阻开口完全覆盖钝化层开口所在区域。在光阻开口内成型金属柱，金属柱包括自下而上依次成型的金属基层和金属锡层。对成型的金属柱进行芯片探针测试。采用回流工艺将进行芯片探针测试后的金属锡层形成金属帽。本发明能够有效的修复芯片探针测试过程中对金属柱端头的损伤，磨平芯片探针测试形成的针痕从而避免了针痕造成的金属凸块的表面的不平坦进而避免对后续工艺及产品性能的影响。

申请人：颀中科技(苏州)有限公司,北京奕斯伟科技有限公司,合肥奕斯伟封测技术有限公司

地址：215000 江苏省苏州市工业园区凤里街166号

国籍：CN

代理机构：苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：胡彭年

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