高分子聚合钽电容器阴极制备方法

来源：年旅网

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201310484448.0 （22）申请日 2013.10.16

（71）申请人中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司

地址 550018 贵州省贵阳市210号信箱

（10）申请公布号 CN103500659A

（43）申请公布日 2014.01.08

（72）发明人刘健;杨立明;田东斌;梁正书;沈伟;龙道学（74）专利代理机构贵阳东圣专利商标事务有限公司

代理人杨云

（51）Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

（）发明名称

高分子聚合钽电容器阴极制备方法

（57）摘要

本发明公开了一种高分子聚合钽电容器阴

极制备方法，旨在提供一种在制备导电高分子聚合层之前先对阳极钽块进行表面预处理，以提高PEDOT导电薄膜质量的方法。其技术方案是将表面附着Ta

法律状态

法律状态公告日

2014-01-08

公开

法律状态信息

公开

法律状态

法律状态公告日

2014-02-12 2016-06-22

授权

法律状态信息

实质审查的生效

授权

法律状态

实质审查的生效

权利要求说明书

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说明书

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