一种检测汞离子的传感芯片[实用新型专利]

来源：年旅网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种检测汞离子的传感芯片专利类型：实用新型专利

发明人：曹忠,曹婷婷,吴玲,肖忠良,黄大凯,宋天铭申请号：CN2013204119.6申请日：20130715公开号：CN203337596U公开日：20131211

摘要：本实用新型公开了一种检测汞离子的传感芯片，该传感芯片包括一个11-巯基十一烷酸膜层（16）修饰的金膜基片（1），该金膜基片（1）的金层一角与外包有塑料绝缘层（3）的金属丝导线（2）相连接，连接处用环氧树脂胶（4）包裹密封；所述金膜基片（1）是在抛光的氮化硅基板（11）上逐步溅射沉积SiO膜层（12）、金属钛膜层（13）、铜锡合金膜层（14）、金膜层（15），金膜层（15）经化学清洗处理后再在其表面上组装修饰11-巯基十一烷酸膜层（16），从而构成检测汞离子的传感芯片。该传感芯片制作简单、成本低廉、使用方便，可用于环境中微量汞离子的快速检测。

申请人：长沙理工大学

地址：410004 湖南沙市雨花区万家丽南路二段960号长沙理工大学化学与生物工程学院

国籍：CN

更多信息请下载全文后查看

因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容

查看全文