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在硅片上外延生长掺杂锰酸镧薄膜异质结材料及制备方法[发明专利]

来源：年旅网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：在硅片上外延生长掺杂锰酸镧薄膜异质结材料及制

备方法

专利类型：发明专利

发明人：吕惠宾,何萌,黄延红,相文峰,陈正豪,周岳亮,程波林,

金奎娟,杨国桢

申请号：CN200410068866.2申请日：20040713公开号：CN1722390A公开日：20060118

摘要：本发明涉及在硅片上外延生长掺杂锰酸镧薄膜和异质结材料及制备方法，该材料包括在n型硅片上生长一层p型的掺杂锰酸镧LaAMnO薄膜，形成p－n异质结材料；其中A为：Ca、Sr、Ba、Pb或Sn，所有x的取值范围为0.05～0.5；或在p型硅片上生长一层n型的掺杂锰酸镧LaBMnO薄膜，形成p－n异质结材料；其中B为：Ce、Pr、Te、Nb、Sb或Ta，所有x的取值范围为0.05～0.5。制备方法采用两步法，将锰酸镧或掺杂的锰酸镧材料直接外延生长在硅衬底上，或把在硅片上生长的锰酸镧或掺杂锰酸镧作为缓冲层，然后再外延生长其它钙钛矿氧化物薄膜，或多层膜。

申请人：中国科学院物理研究所

地址：100080 北京市海淀区中关村南三街8号

国籍：CN

代理机构：北京泛华伟业知识产权代理有限公司

代理人：王凤华

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