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一种LED晶圆及其制作方法

来源：年旅网

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN2018110849.7 （22）申请日 2018.09.18

（71）申请人佛山市国星半导体技术有限公司号

（72）发明人吴亦容;庄家铭;陈凯;赵兵

（74）专利代理机构广州三环专利商标代理有限公司

代理人胡枫

地址 528200 广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙广东新光源产业基地内光明大道18

（10）申请公布号 CN109103308A

（43）申请公布日 2018.12.28

（51）Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

（）发明名称

一种LED晶圆及其制作方法

（57）摘要

本发明公开了一种LED晶圆，包括蓝宝石

衬底、设于蓝宝石衬底表面的缓冲层、设于缓冲层上的非掺杂GaN层、设于非掺杂GaN层上的N型GaN层、设于N型GaN层上的有源层、设于有源层上的电子阻挡层、设于电子阻挡层上的P型GaN层、以及设于蓝宝石衬底背面的导热层，所述导热层由AlN或SiC或Si或DLC或GaN或InN或石墨烯制成，所述导热层的耐受温度为

2000℃。相应地，本发明还提供了一种LED晶圆的制作方法。本发明在蓝宝石衬底的背面形成导热层，使蓝宝石衬底受热均匀，提高外延的质量。

法律状态

法律状态公告日

2018-12-28 2018-12-28 2019-01-22

法律状态信息

公开公开

实质审查的生效

法律状态

公开公开

实质审查的生效

权利要求说明书

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说明书

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