专利名称：结晶性硅薄膜的形成方法及装置专利类型：发明专利发明人：东名敦志,高桥英治申请号：CN200580009563.6申请日：20050322公开号：CN1934680A公开日：20070321
摘要：将氢气引入设置了硅溅射靶(2)及被成膜基板(S)的成膜室(10)内，通过对该气体施加高频功率，从而在该成膜室内产生Hα/SiH为0.3～1.3的等离子体，用该等离子体将硅溅射靶(2)进行化学溅射，在基板(S)上形成结晶性硅薄膜。能够在比较低的低温下廉价、安全地形成高质量的结晶性硅薄膜。
申请人：日新电机株式会社
地址：日本京都府
国籍：JP
代理机构：上海专利商标事务所有限公司
代理人：沈昭坤
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