图案形成方法、半导体装置的制造方法以及制造装置[发明专利]

来源：年旅网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：图案形成方法、半导体装置的制造方法以及制造装

置

专利类型：发明专利

发明人：八重樫英民,志村悟,早川崇申请号：CN200910006951.9申请日：20090213公开号：CN101510503A公开日：20090819

摘要：本发明提供一种图案形成方法、半导体装置的制造方法以及制造装置，不需要第2次曝光工序，就能高精度地形成比曝光边界更细的微细图案，与现有技术相比简化了工序和降低了半导体装置的制造成本。该图案形成方法是形成成为掩膜的图案的方法，包括：形成第1图案(105)的工序；修整第1图案(105)的宽度的工序；在第1图案(105)的表面上形成边界层(106)的工序；在边界层(106)的表面上形成第2掩膜材料层(107)的工序；为了使边界层(106)的顶部露出而除去第2掩膜材料层(107)的一部分的工序；蚀刻边界层(106)而露出第1图案(105)，并且形成在上部具有第2掩膜材料层(107)的第2图案的工序。

申请人：东京毅力科创株式会社

地址：日本东京都

国籍：JP

代理机构：北京林达刘知识产权代理事务所

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