双栅极器件以及双栅极器件的制造方法[发明专利]

来源：年旅网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：双栅极器件以及双栅极器件的制造方法专利类型：发明专利发明人：徐洪远

申请号：CN201510163163.6申请日：20150408公开号：CN1047996A公开日：20150722

摘要：本发明实施例公开了双栅极器件的制作方法，包括：在一基板形成一第一金属层；对第一金属层进行图案化处理以形成底栅电极；在底栅电极和基板上涂覆一第一有机绝缘层；在第一有机绝缘层上溅镀形成第二金属层；对第二金属层进行图案化处理以形成源漏电极；在源漏电极和第一有机绝缘层上依次覆盖一有机半导体层、一第二有机绝缘层和一第三金属层；通过第三光罩对有机半导体层、第二有机绝缘层和第三金属层进行图案化处理以形成顶栅电极。采用本发明，顶栅电极与源漏电极的交叠，使得双栅极结构的器件能减小器件接触电阻，节约功耗。

申请人：深圳市华星光电技术有限公司

地址：518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号

国籍：CN

代理机构：广州三环专利代理有限公司

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