专利名称：通过外延形成半导体器件的方法专利类型：发明专利发明人：比什努·戈戈伊申请号：CN200380107421.4申请日：20031023公开号：CN1732123A公开日：20060208
摘要：提供一种形成半导体结构的方法。根据该方法，其上布置有牺牲层(103)并在牺牲层(103)上布置有薄的单晶半导体层(105)的半导体衬底(101)被提供。然后贯穿半导体层(105)并进入牺牲层(103)的开口(107)被形成。然后半导体层(105)外延生长至合适的器件厚度，从而获得器件层。半导体层被生长，使得所得到的器件层在开口(107)上延伸，并且使得在开口上延伸的器件层部分的表面是单晶硅。
申请人：飞思卡尔半导体公司
地址：美国得克萨斯
国籍：US
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：秦晨
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