二次退火对P型GaN的应变影响

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二次退火对P型GaN的应变影响

周勋;左长明;邹泽亚;廖秀英;姬洪;罗木昌;刘挺;赵红

【期刊名称】《半导体光电》【年(卷),期】2008(29)3

【摘要】采用LP-MOCVD在蓝宝石基片上外延生长了Mg掺杂p-GaN,并对样品进行了退火处理。利用高分辨X射线衍射(HRXRD)对经不同退火时间处理后的样品进行了测试分析,从应变的角度对p型GaN中的杂质和缺陷行为特性进行了分析和探讨。结果表明:p型GaN的应变状态与其退火过程中的杂质和缺陷行为及其最后的电学性能都有着一定的规律性。【总页数】5页(P374-378)

【关键词】GaN;Mg掺杂;退火;应变;HRXRD

【作者】周勋;左长明;邹泽亚;廖秀英;姬洪;罗木昌;刘挺;赵红

【作者单位】电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室;重庆光电技术研究所

【正文语种】中文【中图分类】TN304.23 【相关文献】

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3.牺牲Ni退火对硅衬底GaN基发光二极管P型接触影响的研究术 [J], 王光绪;陶喜霞;熊传兵;刘军林;封飞飞;张萌

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