TFT-LCD阵列基板及其制造方法[发明专利]

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专利名称：TFT-LCD阵列基板及其制造方法专利类型：发明专利

发明人：贠向南,金基用,鲁成祝,曲勇申请号：CN200910077350.7申请日：20090218公开号：CN1018079A公开日：20100818

摘要：本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。制造方法包括：沉积栅金属薄膜，通过构图工艺形成栅线和栅电极图形；沉积栅绝缘层、半导体薄膜、掺杂半导体薄膜和源漏金属薄膜，采用带有半透膜的半色调或灰色调掩模板通过构图工艺形成有源层、数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域图形，形成的源电极和漏电极的宽度为2.8μm～3.0μm；沉积钝化层，通过构图工艺形成钝化层过孔图形；沉积透明导电薄膜，通过构图工艺形成像素电极图形，像素电极通过钝化层过孔与漏电极连接。本发明采用带有半透膜的半色调或灰色调掩模板，使源电极和漏电极的宽度大大减小，提高了开口率，不仅可以增加亮度，而且可以降低背光板的亮度。

申请人：北京京东方光电科技有限公司

地址：100176 北京市经济技术开发区西环中路8号

国籍：CN

代理机构：北京同立钧成知识产权代理有限公司

代理人：曲鹏

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