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高光电转换率,多层超薄膜P-N节太阳能电池工艺[发明专利]

来源:年旅网
专利内容由知识产权出版社提供

专利名称:高光电转换率,多层超薄膜P-N节太阳能电池工艺专利类型:发明专利发明人:王在昕,康优梅申请号:CN200610157676.7申请日:20061219公开号:CN101207166A公开日:20080625

摘要:本项发明属于新的太阳能电池结构和工艺。本项发明使用溅射(PVD)方法在不锈钢薄片上形成多层超薄膜P-N节。太阳能电池光电转换效率可以高达50%。

申请人:康优梅,王在昕

地址:518028 广东省深圳市福田区百花四路长安花园B-10H

国籍:CN

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