专利名称：具选择性电磁屏蔽的模封射频电磁屏蔽结构及其形
成方法
专利类型：发明专利发明人：沈里正,谢宗莹申请号：CN201210041324.0申请日：20120221公开号：CN103249287A公开日：20130814
摘要：本发明公开一种具选择性电磁屏蔽的模封射频电磁屏蔽结构及其形成方法。该模封射频电磁屏蔽结构包括一基底层、一射频元件、一模塑层以及一金属层。射频元件配置于基底层之上。模塑层位于基底层上并包覆射频元件。金属层涂装在模塑层的表面并具有一开口，开口位于射频元件的上方。
申请人：广达电脑股份有限公司
地址：中国桃园县
国籍：CN
代理机构：北京市柳沈律师事务所
代理人：陈小雯
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